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eos是什么相机(简述电子行业eos)

方法/步骤

过电应力(EOS):是指元器件承受的电流、电压应力或功率超过其允许的最大范围。静电损伤(ESD):微电子器件在加工生产、组装、贮存以及运输过程中,可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触,所带静电经过器件引脚放电到地,使器件受到损伤或失效。二次击穿:器件被偏置在某一特殊的工作点时,电压突然跌落,电流突然上升的物理现象。这时若无限流装置及其他保护措施,元器件将被烧毁。电迁移(EM):当器件工作时,金属互连线内有一定的电流通过,金属离子会沿导体产生质量的运输,其结果会使导体的某些部位出现空洞或晶须。机械应力和热变应力:元器件在生产、运输、安装和焊接等过程中受到外来的机械和热应力的作用而失效。栅氧击穿:在MOS器件及其集成电路中,栅氧化层缺陷会导致栅氧漏电,漏电增加到一定程度即构成击穿。与时间有关的介质击穿(TDDB):施加的电场低于栅氧的本征击穿强度,但经历一定的时 间后仍发生击穿的现象。这是由于施加应力的过程中,氧化层内产生并聚集了缺陷(陷阱)的 原因。金铝键合失效:由于金-铝之间的化学势不同,经长期使用或200℃以上的高温存储后,会产 生多种金属间化合物,如紫斑、白斑等。使铝层变薄、粘附性下降、接触电阻增加,最后导致 开路。在300℃高温下还会产生空洞,即柯肯德尔效应,这种效应是高温下金向铝中迅速扩散 并形成化合物,在键合点四周出现环形空洞。使铝膜部分或全部脱离,形成高阻或开路。“爆米花效应”:塑封元器件塑封材料内的水汽在高温下受热发生膨胀,使塑封料与金属框架和芯片间发生分层效应,拉断键合丝,从而发生开路失效。热击穿:功率器件芯片与底座粘接或烧结不良,会存在众多大小不等的空洞,导致器件工作时产生的热量不能充分往外传导,形成局部热点而发生击穿的现象。 [db:内容2][db:内容3]

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